特許
J-GLOBAL ID：200903021966766339
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-315860
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217958
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】表面が凹凸形状を有する多結晶Si膜で構成された蓄積電極を形成する。【構成】Si基板1上にSiO2 膜2多結晶Si膜3を順次に成長させ、次で光リソグラフィーによりマスク4を形成する。次でドライエッチングにより逆テーパ状の蓄積電極5を形成する。次に凹凸形状を有する多結晶Si膜6を逆テーパ形状の蓄積電極5の全面に成長させた後、蓄積電極5の上面および側面の凹凸形状を保ちながら、この凹凸形状を有する多結晶Si膜6をハロゲンを含んだガスで異方的にエッチバックする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して逆テーパ形状の蓄積電極を形成する工程と、この蓄積電極表面に凹凸形状を有する多結晶Si膜を成長させる工程と、前記電極の上面および側面の凹凸形状を保ちながら前記多結晶Si膜を異方的にエッチバックする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 27/04
, H01L 27/108
