特許
J-GLOBAL ID：200903021970165145
化合物半導体より成る電界効果トランジスタのバイアス安定化回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069976
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283942
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 バイアスの安定度が高く、閾値電圧Vthの許容変動幅が十分広く、単一の低電圧電源で駆動することのできる化合物半導体より成る電界効果トランジスタのバイアス安定化回路を得る。【構成】 ベースにバイアス電圧が印加されたバイポーラトランジスタQの一方の出力電極が第1の抵抗器Reを通じて電源に接続されると共に、他方の出力電極が第2の抵抗器Rcを通じて接地されたバイアス回路と、そのバイアス回路によってバイアスされる化合物半導体より成るFET2とを有し、そのバイポーラトランジスタQの一方の出力電極がFETの一方の出力電極に接続されると共に、バイポーラトランジスタQの他方の出力電極がFETのゲートに接続される。
請求項（抜粋）：
ベースにバイアス電圧が印加されたバイポーラトランジスタの一方の出力電極が第1の抵抗器を通じて電源に接続されると共に、他方の出力電極が第2の抵抗器を通じて接地されたバイアス回路と、該バイアス回路によってバイアスされる化合物半導体より成る電界効果トランジスタとを有し、上記バイポーラトランジスタの一方の出力電極が上記電界効果トランジスタの一方の出力電極に接続されると共に、上記バイポーラトランジスタの他方の出力電極が上記電界効果トランジスタのゲートに接続されて成ることを特徴とする化合物半導体より成る電界効果トランジスタのバイアス安定化回路。
引用特許：
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