特許
J-GLOBAL ID：200903021978003810
厚膜と薄膜の混成多層回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-008203
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198948
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】厚膜薄膜混成多層回路基板において、薄膜配線層の絶縁層間に水分等が侵入するのを防止することにより界面の接着強度を維持して層間での剥離を防止する。【構成】第一絶縁層1の周辺部分をドライエッチング等の方法で除去し、その表面を覆うようにCr等の金属膜3を形成する。第二絶縁層4は第一絶縁層1よりも少し内側の寸法まで除去し、その上に第二配線層5を形成する。これにより第一絶縁層と第二絶縁層の界面は金属膜で封止された構造と成る。【効果】本構造を用いることにより絶縁層端面部からの水分の浸入が防止でき、しかも、この端面部は密着力の大きい金属薄膜で接着されているために層間での剥離防止に大きな効果がある。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板と有機絶縁膜と金属配線膜からなる電気回路基板の薄膜多層部において、その周辺部分を各層毎に金属薄膜で封止したことを特徴とする厚膜と薄膜の混成多層回路基板。
引用特許：
前のページに戻る
