特許
J-GLOBAL ID：200903021978637526

半導体装置およびその製造方法

発明者：
横川 茂

横川 茂 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について

, 
富士通カンタムデバイス株式会社

富士通カンタムデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-223071
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058595
出願日： 1998年08月06日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 高周波信号の損失や反射を抑制したコプレーナ型伝送線路を有する高周波半導体装置を得る。【解決手段】 フリップチップ実装完了後に半導体チップ電極表面と基板電極表面との間隔が11μmから29μmとなるように、半導体チップ表面のコプレーナ型伝送線路と接地電極上にAuバンプが形成されているような高周波半導体装置の構造とその製造方法。
請求項（抜粋）：
コプレーナ伝送線路を有する半導体チップと、前記半導体チップをバンプを用いてフリップチップ実装する基板とを有し、前記半導体チップ上のコプレーナ伝送線路の表面と前記基板上の電極の表面との間隔が、11μmから29μmであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 301 ,  H01P 3/02
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 301 C ,  H01P 3/02
Fターム (4件)：
4M105AA01 ,  4M105AA16 ,  4M105BB01 ,  4M105FF03
引用特許：
審査官引用 (9件)
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