特許

J-GLOBAL ID：200903021978781880

ゲルマニウム上にヒ化ガリウムの半導体ヘテロ構造を製造するための改良された方法

発明者： ユージェン アーサー フィッツジェラルド ジュニヤ ,  ジェン-ミン クオ ,  ポール ジョセフ シルヴァーマン ,  ヤ-ホン キシー
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114787
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169688
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【構成】 本発明は出願人によるGe表面のヒ素への露出はGe表面の段構造に劇的な変化を与えるという発見に基づく。その後のGaへの露出及びGaAsの成長は三次元の成長及びGaAs/Ge界面の所の高い貫通転位密度を生成する。但し、Ge表面のGaへの露出はGe段構造に大きな変化は与えず、その後のGaAsの成長は貫通転位密度の増加を殆ど伴わない二次元成長となる。こうして、ゲルマニウム上へのヒ化ガリウムの高品質半導体ヘテロ構造をゲルマニウム表面をヒ素の実質的に存在しない環境内に露出し、この表面上にガリウムの層を堆積し、その後、ヒ化ガリウムの層を成長することによって製造することができる。【効果】この改良された方法は、様々なオプトエレクトロニックデバイス、例えば、発光ダイオードを製造するために採用することができる。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム上にヒ化ガリウムの半導体ヘテロ構造を製造するための改良された方法であって、この方法が、ゲルマニウムから成る表面を実質的にヒ素が存在しない環境内に露出するステップ、前記露出された表面上にガリウムの層をエピタキシャル成長するステップ、及び前記カバーされた表面上にヒ化ガリウムの層をエピタキシャル成長するステップを含むことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205