特許
J-GLOBAL ID：200903021988138137
メタルプラグの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201330
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053332
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 高アスペクト比のコンタクトホールにおいても、配線層の埋め込み性が良く、また配線層と下層の半導体と間においてはバリア性に優れたバリアメタルを得ることができるようにする。【構成】 半導体基体1上の絶縁層2に開口したコンタクトホール3に高融点金属層4及び/又は高融点金属化合物層5aから成るバリアメタルを形成した後、配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、高融点金属層4及び/又は高融点金属化合物層5aに、矢印pで示すように不純物プラズマを指向性をもたせて照射し、少なくともコンタクトホール3の底部の高融点金属層4及び/又は高融点金属化合物層5aの粒界に不純物を注入する。
請求項（抜粋）：
半導体基体上の絶縁層に開口したコンタクトホールに少なくとも高融点金属層及び/又は高融点金属化合物層から成るバリアメタルを形成した後、配線層を埋込むメタルプラグの形成方法において、上記高融点金属層及び/又は高融点金属化合物層に、不純物プラズマを指向性をもたせて照射し、少なくとも上記コンタクトホールの底部の上記高融点金属層及び/又は高融点金属化合物層の粒界に不純物をつめることを特徴とするメタルプラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
