特許
J-GLOBAL ID：200903021997547198
半導体単結晶製造における供給素材
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-310892
出願日： 1995年05月16日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：
【要約】【目的】 CZ法による半導体単結晶の製造において、特に大径の半導体単結晶引き上げのためのリチャージまたは追チャージに当たり、安価で、生産性のよい供給素材を提供する。【構成】 リチャージ法、追チャージ法において一般的に使用されている通常の太さの多結晶シリコンロッド(以下ロッド材という)1,2の端部にそれぞれ環状の溝1a,2aを設ける。連結部材3は断面がコの字状で、シリコンからなる。ロッド材1,2の端部を当接し、前記溝1a,2aに跨がって複数個の連結部材3の凸部を嵌着することにより、前記ロッド材1,2を長手方向に連結する。ロッド材1,2のそれぞれの長さは任意でよいが、連結された供給素材の重量、すなわち複数のロッド材と連結部材との合計重量が溶解すべき多結晶シリコンの重量と釣支部分の重量との和以上になるように、供給素材の全長を調整する。
請求項（抜粋）：
CZ法による半導体単結晶の製造において、リチャージまたは追チャージに用いる供給素材であって、2本以上の多結晶シリコンロッドのそれぞれの端部に係止部を設け、シリコンからなる連結部材を前記係止部に係止することによって前記多結晶シリコンロッドを互いに連結したことを特徴とする半導体単結晶製造における供給素材。
IPC (3件)：
C30B 15/02
, C30B 29/06
, H01L 21/208
C30B 15/02
, C30B 29/06 A
, H01L 21/208 P
