特許

J-GLOBAL ID：200903021998204847

スルホニウム塩及びレジスト材料

発明者： 渡辺 聡 ,  島田 順次 ,  大澤 洋一 ,  竹村 勝也 ,  石原 俊信 ,  丸山 和政
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019844
公開番号（公開出願番号）：特開平7-252214
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】 下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1,R2,R3は非置換又は置換芳香族基を示し、R1,R2,R3の少なくとも1つは酸不安定基を有する置換芳香族基及び残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1,R2,R3の全てが窒素含有芳香族基である。)また、このスルホニウム塩を含む化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。【効果】 本発明のレジスト材料は、ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。また、T-トップ形状の原因である表面難溶層の問題、即ちPEDの問題を解決する微細加工技術に適した化学増幅ポジ型レジスト材料であり、本発明の新規なスルホニウム塩は化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表わされるスルホニウム塩。【化1】(式中、R1,R2,R3は非置換又は置換芳香族基を示し、R1,R2,R3の少なくとも1つは酸不安定基を有する置換芳香族基及び残りの少なくとも一つは窒素含有芳香族基であるか、又はR1,R2,R3の全てが窒素含有芳香族基である。)

IPC (6件)：

C07C381/12 ,  C08K 5/36 KBR ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/08