酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子、これを用いる電子システム及びこれを製造する方法

発明者： , , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-156360
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340837
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】酸素障壁膜で覆われた相変化記憶素子を有する半導体素子を提供する。【解決手段】前記半導体素子は半導体基板上に形成されたモルディング膜を備える。前記モルディング膜はその上部面から垂直方向に延長された突出部を有する。前記突出部と接するように相変化物質パターンを提供する。前記相変化物質パターンは下部電極へ電気的に接続される。前記相変化記憶素子を用いる半導体素子及び電子システムが提供される。前記相変化記憶素子を製造する方法も提供される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配置されて、その上部面から垂直方向に延長された突出部を有するモルディング膜と、前記突出部と接する相変化物質パターンと、前記相変化物質パターンに電気的に接続された下部電極を含むことを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (1件)：

H01L27/10

FI (1件)：

H01L27/10 448

Fターム (17件)：

5F083FZ10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA20 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR21 , 5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6、147、395号明細書

審査官引用 (8件)

マルチステートエレメントを有するメモリー・アレーと該アレーあるいは該アレーのセルを形成するための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-501467 出願人：ミクロンテクノロジーインコーポレイテッド
特許第6531391号
特開平4-045584

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