特許
J-GLOBAL ID：200903022004689134
電力用半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-297876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118987
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 電力用半導体モジュールの耐熱応力特性を向上する【解決手段】 複数の電力用半導体素子1a、1bを1枚の絶縁基板4に接合し、さらに絶縁基板4をベースプレート7に接合して積層した電力用半導体モジュールにおいて、絶縁基板4を複数枚に分割するための溝11を絶縁基板4に形成し、溝11により分割される絶縁基板(4)ごとに少なくとも1個の電力用半導体素子(1a、1b)を配置する。これにより、組立工数の削減と部品管理の手間を省くために複数の電力用半導体素子を1枚の絶縁基板に接合するのにともなって、絶縁基板とベースプレートの接合面積の拡大により接合部の熱応力が大きくなっても、熱応力で接合部にクラックが発生したり接合される部材に剥離が発生する前に、溝または通し穴列の部分で絶縁基板が割れて絶縁基板が分離する。その結果、絶縁基板1枚当たりの接合面積が小さくなって熱応力が小さくなり、クラックや剥離の発生を防止でき、電力用半導体素子の放熱特性を維持してその熱破壊を防止できる。
請求項（抜粋）：
複数の電力用半導体素子を1枚の絶縁基板に接合し、さらに前記絶縁基板をベースプレートに接合して積層した電力用半導体モジュールにおいて、前記絶縁基板を複数枚に分割するための溝を前記絶縁基板に形成し、前記溝により分割される絶縁基板ごとに少なくとも1個の前記電力用半導体素子を配置することを特徴とする電力用半導体モジュール。
IPC (2件)：
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