特許

J-GLOBAL ID：200903022011133796

パターン形成方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 荒内 恵子 ,  背戸 文子 ,  加藤 誠 ,  佐藤 一彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045811
出願日： 1994年07月27日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 パターン転写用レジスト膜の化学的安定性の経時的変化を防止する。【構成】 半導体基板1上に電子線感光レジスト膜3を堆積した後、その電子線感光レジスト膜3上に防護膜4を堆積することにより、電子線感光レジスト膜3を大気から保護できるようにした。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に所定のパターンを形成する際に、前記所定の基板上にパターン転写用レジスト膜を堆積する工程と、前記パターン転写用レジスト膜上に、そのパターン転写用レジスト膜を大気から保護するため、所定の酸を主成分とする有機膜からなる防護膜を堆積する工程と、前記所定の基板に対して露光処理を施し、前記パターン転写用レジスト膜に所定のパターンを転写する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 501

FI (3件)：

H01L 21/30 566 ,  H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 575