特許
J-GLOBAL ID:200903022011868192
堆積膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-208410
公開番号(公開出願番号):特開2003-027238
出願日: 2001年07月09日
公開日(公表日): 2003年01月29日
要約:
【要約】【課題】 大面積の基体上に、硬質かつ緻密であって表面性に優れた非晶質窒化炭素膜を、膜厚、膜質ともに均一に形成する。【解決手段】 減圧可能な反応容器1111内に基体1113を設置し、反応容器1111中に炭素原子を含む原料ガスと窒素原子を含む原料ガスを導入し、10MHz以上250MHz以下の異なる周波数を有する複数の高周波電力を同一電極に供給することによって原料ガスを分解し、反応容器1111内にプラズマを生成し、基体1113上に非晶質窒化炭素膜を形成する。膜形成中に膜の組成を変更する場合には、少なくとも1つの高周波電力の周波数や2つの高周波電力の電力比を変更する。最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力にて、周波数の高い方の第1の高周波電力の周波数に対する周波数の低い方の第2の高周波電力の周波数比を0.1〜0.9とし、第1の高周波電力と第2の高周波電力との和に対する第2の高周波電力の比を0.1〜0.9とする。
請求項(抜粋):
減圧可能な反応容器内に基体を設置するステップと、該反応容器中に炭素原子を含むガスと窒素原子を含むガスを導入するステップと、周波数の異なる複数の高周波電力を同一電極に供給することによって前記ガスを分解してプラズマを生成するステップと、前記基体上に非晶質窒化炭素膜の堆積膜を形成するステップとを有する堆積膜形成方法。
IPC (4件):
C23C 16/34
, C23C 16/509
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
FI (4件):
C23C 16/34
, C23C 16/509
, G03G 5/08 360
, H01L 21/205
Fターム (33件):
2H068DA12
, 2H068DA32
, 2H068DA62
, 2H068EA24
, 4K030AA09
, 4K030AA13
, 4K030AA18
, 4K030BA36
, 4K030BA38
, 4K030CA02
, 4K030CA16
, 4K030FA03
, 4K030JA06
, 4K030JA16
, 4K030JA18
, 4K030KA20
, 4K030LA17
, 5F045AA08
, 5F045AB40
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045AD06
, 5F045BB02
, 5F045BB09
, 5F045CA13
, 5F045DP25
, 5F045EB02
, 5F045EB03
, 5F045EH04
, 5F045EH08
, 5F045EH19
, 5F045EK08
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