特許

J-GLOBAL ID：200903022013050316

電子写真用感光体

発明者： 安井 甲 ,  加藤 一久 ,  須田 文之
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 篠原 泰司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231942
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342221
出願日： 1984年07月11日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】 多量に複写しても画質の低下を生ぜず、感光層を十分安定して保護し得る構成の表面保護層と空間電荷領域の形成を抑制するp型アモルファスシリコン層を有するアモルファス電子写真用感光体を提供する。【構成】 導電性基板1上にアモルファスシリコン感光層2,p型アモルファスシリコン層4,アモルファス窒化シリコン膜で形成した絶縁性の表面保護層3の順にプラズマCVD法で積層して作製。アモルファスシリコン感光層の暗抵抗率は1012Ω・cm以上、p型アモルファスシリコン層の厚みは30〜1000Å,暗抵抗率は1011Ω・cm以上、表面保護層の厚みは500〜10000Åである。複写試験で、10万枚以上複写できることを実証した。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファスシリコン感光層、p型アモルファスシリコン層及び表面保護層を有するアモルファスシリコン電子写真用感光体において、前記p型アモルファスシリコン層は前記アモルファスシリコン感光層と前記表面保護層との間に30〜1000Åの厚さを有し、前記p型アモルファスシリコン層の前記アモルファスシリコン感光層との界面の平衡状態におけるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の高さが、該界面の平衡状態における前記アモルファスシリコン感光層のフェルミ準位に対する伝導帯の底部の高さ以上であるとともに、前記表面保護層の厚みが500〜10000Åの範囲になされており、前記表面保護層の前記p型アモルファスシリコン層との界面の平衡状態におけるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の高さが、該界面の平衡状態における前記p型アモルファスシリコン層のフエルミ準位に対する伝導帯の底部の高さ以上であることを特徴とする電子写真用感光体。

IPC (3件)：

G03G 5/08 316 ,  G03G 5/08 305 ,  G03G 5/147 501

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-184256
  
• 特開昭60-083957