気相成長方法および気相成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-266607
公開番号（公開出願番号）：特開平9-115837
出願日： 1995年10月16日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】ウェハを回転することなく、簡単な構造で均一な厚みと質の薄膜を成長できるようにする。【解決手段】ウェハ2と平行に原料ガスを流すフローチャネル1を備える。フローチャネル1の上流部にガス導入口3を設け、これからフローチャネル1内に主たる原料ガスGを導入する。フローチャネル1に、ガス導入口3の他にウェハ2付近で補助的に原料ガスを導入するガス補充口5a、5bを設ける。ガス補充口5a、5bをウェハ2a、2bと正対する位置に設けるとよい。これにより、原料ガスGのウェハ上流部での原料の消耗にあわせてウェハ下流部で原料ガスGを補填できるので、ウェハ2上に均一な薄膜を堆積若しくはエピタキシャル成長させることができる。

請求項（抜粋）：

ウェハと平行に原料ガスを流すことによってウェハ上に薄膜を堆積若しくはエピタキシャル成長させる気相成長方法において、ウェハの上流部での原料の消耗にあわせてウェハの中流部から下流部にかけて原料ガスを補填するようにしたことを特徴とする気相成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/18 , C23C 16/44 , C30B 25/14

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/18 , C23C 16/44 D , C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-081437
特開昭56-126913

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