特許

J-GLOBAL ID：200903022023483644

位相シフトマスクの製造方法および位相シフトマスク

発明者： 小久保 晴夫
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 金山 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037998
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244270
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 シフター部と非シフター部が互いに隣接し、且つ、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するための掘り込み部(凹部とも言う)の側面部も含め、連続して覆う遮光膜からなる遮光層パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するための、位相シフトマスクの製造方法であって、工程効率化を達成できる製造方法を提供する。【解決手段】 シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレジストパタン形成工程を有す。

請求項（抜粋）：

シフター部と非シフター部が互いに隣接し、シフター部の端部から非シフタ一部の端部までを、シフター部を形成するための掘り込み部(凹部)の側面部も含めて連続して覆う、露光光に対し遮光性を有する遮光膜からなる遮光膜パタンが形成されている片掘り型の基板掘り込み型位相シフトマスクを製造するための、位相シフトマスクの製造方法であって、シフター部形成用の掘り込み部形成領域のパタンニングの際、フォトレジストを、基板の一面上に、直接あるいは金属膜を介して塗布形成し、フォトリピータで、前記フォトレジストの掘り込み部形成領域を選択的に露光し、更に現像処理を施し、掘り込み部形成領域を開口したレジストパタンを形成するレジストパタン形成工程を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 L ,  G03F 7/20 521

Fターム (3件)：

2H095BB03 ,  2H095BC08 ,  2H095BC28