特許

J-GLOBAL ID：200903022023531932

トランジスタ、およびその製造方法

発明者： ホンファ,ルァン ,  トーマス,シュルツ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238994
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110091
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】CMOSデバイス設計に適した仕事関数をもつメタルゲート電極を提供する。【解決手段】 トランジスタおよびその製造工程が開示されている。相補型金属酸化膜半導体(CMOS)デバイスは、第1の厚さを有する第1ゲート電極を含むPMOSトランジスタと、第2の厚さを有する第2ゲート電極を含むNMOSトランジスタとを含み、第1の厚さは、第2の厚さよりも大きい。第1ゲート電極および第2ゲート電極は、同じ材料を含んでいることが好ましく、例として、TiSiN、TaNまたはTiNを含んでいるとよい。第1ゲート電極および第2ゲート電極の厚さによって、PMOSトランジスタおよびNMOSトランジスタの仕事関数が設定される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

第1の厚さを有する第1ゲート電極を含む第1トランジスタと、 上記第1トランジスタに近接する第2トランジスタとを含み、 上記第2トランジスタは、上記第1の厚さと異なる第2の厚さを有する第2ゲート電極を含むことを特徴とする半導体デバイス。

IPC (7件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G

Fターム (99件)：

4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD77 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF06 ,  4M104GG10 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BE03 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F110AA04 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE25 ,  5F110EE31 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN33 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 金属ゲートスタック制御を伴うMOSFETしきい値電圧調整
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-007398   出願人：シャープ株式会社
• 半導体素子とその作製法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-500973   出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
• デュアルメタルゲート構造を形成するためのプロセス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-509809   出願人：フリースケールセミコンダクターインコーポレイテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-025203   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-005506   出願人：富士通株式会社