特許
J-GLOBAL ID：200903022031158485
磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-196701
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】バイアス磁石の磁極中心と、磁電変換素子との位置関係を安定させることができる磁気センサを提供する。【解決手段】バイアス磁石3はN極着磁面3aがギヤと対向し、ギヤに向けてバイアス磁界を発生する。モールドIC4はバイアス磁界の状態変化を電気信号にして取り出す磁電変換素子16,17を樹脂15にてモールドしている。磁電変換素子16,17と共に樹脂15にてモールドされたリードフレームの一部が樹脂15からバイアス磁石3に向かって突出しており、この突起18,19,20,21が、バイアス磁石3に形成した凹部6,7,8,9内において折り曲げられ、かつ、自身のバネ力により付勢された状態で配置され、突起18,19,20,21とバイアス磁石3とが凹凸関係により嵌合している。
請求項（抜粋）：
着磁面が被検出対象と対向し、当該被検出対象に向けてバイアス磁界を発生するバイアス磁石と、前記バイアス磁界の状態変化を電気信号にして取り出す磁電変換素子をモールド材にてモールドしたモールドICとを備えた磁気センサであって、前記磁電変換素子と共に前記モールド材にてモールドされたリードフレームの一部を前記モールド材から前記バイアス磁石に向かって突出させ、この突出部と前記バイアス磁石とを凹凸関係により嵌合させたことを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G01D 5/245 R
, G01D 5/245 X
, G01P 3/488 D
