特許

J-GLOBAL ID：200903022032648460

半導体装置およびその製造方法

発明者： 今井 馨太郎 ,  中村 賢朗 ,  江口 和弘 ,  清利 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-231627
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082907
出願日： 1995年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】薄膜化を進めても誘電率の低下やリーク電流の発生が起こり難いキャパシタを提供すること。【解決手段】キャパシタ絶縁膜117として、AサイトにBa、Srのイオンが位置し、BサイトにTiのイオンが位置し、かつ1w%程度のFeを含む厚さ20nm程度のABO3 型のペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を主成分とする(Ba、Sr)TiO3 膜を用いる。

請求項（抜粋）：

二つのキャパシタ電極によりキャパシタ絶縁膜を挾持してなるキャパシタを有する半導体装置において、前記キャパシタ絶縁膜は、ABO3 型のペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を主成分とする厚さ100nm以下の絶縁薄膜であって、前記金属酸化物のAサイトにはSr、BaおよびCaの中から選ばれた少なくとも1種類以上の金属のイオンが位置し、前記金属酸化物のBサイトにはTiのイオンが位置し、かつ前記キャパシタ絶縁膜はFe、MnおよびCoの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素を0.01w%以上10w%未満の濃度で含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高誘電率キャパシタおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-079553   出願人：三菱電機株式会社