特許
J-GLOBAL ID：200903022035252672
半導体デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-346736
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296011
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【構成】相互間に予め定めた電気的結合を有するための複数の半導体ドットDの配列と、該複数のドットと量子力学的電気的結合を形成した複数の導体Tとを備え、該導体Tに対して入力電圧を印加したとき、前記ドット間の結合に応じたパターン状に電流が前記導体に発生する。【効果】並列データ処理が可能になり、これにより超高速動作が実現される。また、ドットの状態を変えることにより論理機能を変更することが可能になる。さらに、ドットをグループ分けして配置することにより冗長性をもたせ、これによりデバイスの信頼性向上、および製造の容易化・歩留まり向上を図ることもできる。
請求項（抜粋）：
相互間に予め定めた電気的結合を有するための複数の半導体ドットの配列と、該複数のドットと量子力学的電気的結合を形成した複数の導体とを備え、該導体に対して入力電圧を印加したとき、前記ドット間の結合に応じたパターン状に電流が前記導体に発生することを特徴とする半導体デバイス。
IPC (2件)：
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