特許
J-GLOBAL ID：200903022035294162
ダイヤモンドの合成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128086
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、高性能な半導体デバイス、ヒートシンク等の電子機器分野をはじめとする広い分野において好適であり、基材との密着性に優れるダイヤモンドを、簡便な操作で容易に合成することができるダイヤモンドの合成方法、及び、任意の形状にかつ高い選択性をもって合成することができるダイヤモンドの合成方法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的を達成するための前記請求項1に記載の発明は、炭化物形成元素からなる基材の表面を低電流陽極酸化法により多孔質化し、化学気相浸透法により炭化した後、この基材の表面に気相法によりダイヤモンドを合成することを特徴とするダイヤモンドの合成方法である。
請求項（抜粋）：
炭化物形成元素からなる基材の表面を低電流陽極酸化法により多孔質化し、化学気相浸透法により炭化した後、この基材の表面に気相法によりダイヤモンドを合成することを特徴とするダイヤモンドの合成方法。
IPC (5件)：
C30B 29/04
, C30B 25/02
, C30B 25/04
, C30B 25/18
, H01L 21/205
