特許

J-GLOBAL ID：200903022036828659

窒化物系半導体の成長方法

発明者： 小川 元一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233145
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074200
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に良質な窒化物系半導体を成長させられないという問題があった。【解決手段】 成長炉1内にシリコン基板1を搬入して、このシリコン基板1上に窒化物系半導体を成長させる窒化物系半導体の成長方法であって、前記シリコン基板1を前記成長炉2とは独立して設けられた加熱炉3に搬入し、この加熱炉3内に水素を導入して850°C以上の温度で熱処理した後、前記シリコン基板1を大気に曝すことなく前記成長炉2内に移送して前記窒化物系半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を成長炉に搬入して窒化物系半導体を成長させる窒化物系半導体の成長方法において、前記シリコン基板を前記成長炉とは独立して設けられた加熱炉に搬入し、この加熱炉内に水素を導入して850°C以上の温度で熱処理した後に、このシリコン基板を大気に曝すことなく前記成長炉に移送して前記窒化物系半導体を成長させることを特徴とする窒化物系半導体の成長方法。