特許
J-GLOBAL ID：200903022038903640
表面実装型の半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196641
出願日： 2000年01月14日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 半田付けによる実装の際に半田がボンディングされたワイヤに影響を及ぼさないようにして導通構造の保全が可能な表面実装型の半導体装置を提供すること。【解決手段】 絶縁性の基板1に設けた一対の電極2,3のうち一方の電極2に発光素子4を導通搭載するとともに、この発光素子4と他方の電極3との間をワイヤ5でボンディングし、さらにこのワイヤ5を含んで樹脂パッケージ6で封止し、電極3にその積層めっき層のCuめっき層3bを露出させる切欠溝7をボンディング位置と外縁との間に形成し、半田付けの際にCuめっき層3bの表面の酸化膜によって半田の塗れ性を悪くして半田がボンディング側に進行するのを防いでワイヤ5の浮き上がりを防止し、導通構造の保全を図る。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、電源側に導通接続した電極と、前記半導体素子と前記電極との間をボンディングによって導通させるワイヤとを備え、前記電極の基層にCuめっき層を含ませた積層めっき構造とした半導体装置において、前記電極には、前記ワイヤをボンディングする位置と半田付けする外縁との間に前記Cuめっき層を露出させた切欠溝を形成したことを特徴とする表面実装型の半導体装置。
Fターム (6件)：
5F041AA25
, 5F041DA07
, 5F041DA19
, 5F041DA35
, 5F041DA39
, 5F041DA44
