特許
J-GLOBAL ID：200903022039743514
酸化工程を有する半導体装置の製造方法、及び酸化装置を有する半導体装置の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145128
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 水分含有酸化雰囲気で酸化を行い、水素の燃焼で水分を供給する場合も、爆発の危険性を排除し、酸化反応室に乾燥酸素等を供給せず、清浄な水分供給ができ、高信頼性の半導体装置を歩留り良く得る製造方法と装置を提供する。【解決手段】 ?@酸化反応室2中で水分含有酸化雰囲気下で酸化を行う工程を含み、水分は燃焼反応室1で水素を燃焼させた水蒸気で供給し、ここに水素を導入する前に酸化性ガスを導入し、該酸化性ガスは、水中を通して酸化反応室に供給し、水蒸気供給開始後は、水中を通す操作を停止する。?A水素を燃焼させる燃焼反応室と、酸化性ガスを導入し半導体材料を酸化させる酸化反応室とを合わせ持ち、酸化反応室中で水蒸気を含有した酸化雰囲気下で酸化を行う装置において、燃焼反応室と酸化反応室との間に、燃焼反応室から供給されるガスを水5中を通す機構(容器3)を設け、該ガスを水中を通すか否かは切り換え自在にする。
請求項（抜粋）：
酸化反応室中で水分を含有した酸化雰囲気下で酸化を行う酸化工程を含む半導体装置の製造方法において、上記水分は燃焼反応室で水素を燃焼させて得る水蒸気により供給するとともに、上記燃焼反応室には、水素を導入するに先立ち、酸化性ガスを導入し、該酸化性ガスは、水中を通して酸化反応室に供給し、その後水素を導入して水素の燃焼により水蒸気の供給が開始された後は、上記水中を通す操作を停止することを特徴とする酸化工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 E
, H01L 21/316 S
