特許

J-GLOBAL ID：200903022039807865

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大藪 芳信
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203179
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032275
出願日： 1996年07月13日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の長期信頼性の確保、放熱効果の改善、実装密度の向上を同時に行う。【解決手段】 実装基板3上にフリップ・チップ・ボンディングされた半導体チップ5の側面をアルミナ・セラミクス等の絶縁材料からなる枠材1で囲み、この枠材1の上端部1aと半導体チップ5の裏面5bの縁部との間の隙間を接着材料層7aで、また枠材1の下端部1bと実装基板3との間の隙間を接着材料層7bで各々充填する。接着材料層7a,7bは、ハンダ・バンプ6よりも軟化点の低い低融点ガラスを加熱リフローさせることにより形成する。半導体チップ5の素子形成面5aが密閉空間内に封止されるので長期信頼性が向上し、裏面5bの大部分が大気と接触するので放熱効果が改善され、さらに枠材1の寸法を半導体チップ5の外形寸法に近づけることができるので実装密度が向上される。

請求項（抜粋）：

実装基板上に素子形成面を対面させるごとくボンディングされる半導体チップと、該半導体チップの側面を周回する絶縁性の枠材とを有し、前記実装基板の表面と前記枠材の下端部との間、および前記半導体チップの少なくとも裏面縁部と該枠材の上端部との間が接着材料層で充填されることにより、前記素子形成面が封止されてなる半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/02 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/08 ,  H01L 23/10 ,  H01L 23/34

FI (7件)：

H01L 23/02 B ,  H01L 23/02 D ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/08 B ,  H01L 23/08 C ,  H01L 23/10 A ,  H01L 23/34 A