特許

J-GLOBAL ID：200903022040506828

ICチップ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 潔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-289459
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124259
出願日： 1998年10月12日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 補強ランドを有していなくても電気的接続の信頼性が高いICチップ、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、ICチップ20と、ICチップ20を実装するプリント回路基板30とを備えている。ICチップ20は、複数の同心状の円周上に、電極に対応した半田ランド22を互いに離隔して有し、更に、各半田ランド上にバンプ24を有する。プリント回路基板30は、ICチップ20の半田ランド22に対応する位置に半田ランド28を有する。これにより、プリント回路基板30及びICチップ20の熱膨張係数が異なっても、プリント回路基板30及びICチップ20を相互に接合している接合部(半田)に加わる応力は、全ての接合部に分散し、接合部が破断し難い。

請求項（抜粋）：

電極に対応した半田ランドを円周上に互いに離隔して有することを特徴とするICチップ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H05K 3/34 501

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/34 501 E

Fターム (11件)：

5E319AC11 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD26 ,  5F044KK01 ,  5F044KK12 ,  5F044KK17 ,  5F044LL01 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ06