特許

J-GLOBAL ID：200903022041958293

半導体基板の洗浄方法および洗浄装置

発明者： 美濃 美子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-122110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315672
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：

【要約】【課題】 洗浄後の基板面残留パーティクル低減、残留有機物低減等総合的洗浄効果を得る洗浄方法、洗浄装置を提供する。【解決手段】 半導体製造における基板洗浄装置が、クリーンレベルが管理された同一環境下において、化学反応で基板表面の汚染物質を分解させる光処理部と、物理的外圧で基板表面の残留物質を脱離させる水洗部および基板乾燥部から成り、前記光処理部では紫外線ランプを半導体基板面に照射させて基板表面の汚染物を光反応(光分解)させた後に、前記物理的外圧法としてブラシ擦りやメガソニック水洗や高圧スプレー水洗などにより、前記光分解後の基板面残留物質を脱離させることで半導体基板面を清浄化させることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

クリーンレベルが管理された同一環境下において、化学反応で基板表面の汚染物質を分解させる光処理部と、物理的外圧で基板表面の残留物質を脱離させる水洗部と、基板乾燥部とを有することを特徴とする半導体基板洗浄装置。

IPC (6件)：

H01L 21/304 645 ,  H01L 21/304 644 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/304 ,  B08B 1/00 ,  B08B 3/02

FI (6件)：

H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/304 644 A ,  H01L 21/304 651 L ,  H01L 21/304 651 M ,  B08B 1/00 ,  B08B 3/02 A

Fターム (22件)：

3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB01 ,  3B116BA02 ,  3B116BB21 ,  3B116BB33 ,  3B116BB83 ,  3B116BC01 ,  3B116CC03 ,  3B116CD23 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201BA02 ,  3B201BB33 ,  3B201BB83 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201BC01 ,  3B201CB12 ,  3B201CB22 ,  3B201CC12 ,  3B201CC13