特許
J-GLOBAL ID：200903022044050837
窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-197657
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037826
出願日： 1993年07月16日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 結晶性の良好な窒化ガリウム系化合物単結晶膜を製造するための方法を提供すること。【構成】 ガリウム-ヒ素からなる結晶基板上にバッファー層を形成し、このバッファー層上に窒化ガリウム系化合物の単結晶膜を気相成長させる窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法であって、窒素を含むガス雰囲気下に結晶基板を配置し、窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマの存在下にガリウムおよびヒ素を飛翔させることにより、ガリウム-ヒ素-窒素(Ga・As1-x ・Nx )からなるバッファー層を結晶基板上に形成する工程を含み、当該バッファー層の形成工程において、窒素プラズマの発生量を経時的に増加させ、ヒ素の飛翔量を経時的に減少させることにより、バッファー層における窒素の含有割合xを、結晶基板側から単結晶膜側に向かって連続的または段階的に増加させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガリウム-ヒ素からなる結晶基板上にバッファー層を形成し、このバッファー層上に窒化ガリウム系化合物の単結晶膜を気相成長させる窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法であって、窒素を含むガス雰囲気下に結晶基板を配置し、窒素プラズマを発生させ、この窒素プラズマの存在下にガリウムおよびヒ素を飛翔させることにより、ガリウム-ヒ素-窒素(Ga・As1-x ・Nx )からなるバッファー層を結晶基板上に形成する工程を含み、当該バッファー層の形成工程において、窒素プラズマの発生量を連続的または段階的に増加させ、ヒ素の飛翔量を連続的または段階的に減少させることにより、形成されるバッファー層における窒素の含有割合xを、結晶基板側から単結晶膜側に向かって連続的または段階的に増加させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物単結晶膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 23/08
, C30B 25/02
, C30B 29/38
