特許

J-GLOBAL ID：200903022047821150

半導体ウエハのキヤリアのライフタイム測定方法

発明者： 鳥井 康司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326457
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136241
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハのキャリアのライフタイム測定方法において、半導体ウェハのバルクの再結合中心の濃度に依存したライフタイムを安定して得る。【構成】 900°C以上の温度の酸素雰囲気中でシリコン基板1の表面に熱酸化膜2を形成し、基板1の光照射面の裏面側の熱酸化膜をフッ化水素酸によりエッチング除去し、純水によりリンスを行いシリコン基板1の裏面に自然酸化膜3を10Å程度成長させる。熱酸化膜2が形成されている基板面に光注入を行い過剰キャリアを励起する。過剰キャリアの濃度変化をマイクロ波の反射出力を検出することにより実効的にライフタイムを求める。光照射面の裏面側の再結合を促進することによりバルクの再結合中心の濃度に依存したライフタイムを安定して得る。

請求項（抜粋）：

熱平衡状態の半導体ウェハの表面近傍に光励起により過剰キャリアを注入し、過剰キャリア濃度の減衰過程をコンダクタンスの変化としてとらえて、マイクロ波の透過量或いは反射量の時間的変化を検出する半導体ウェハのキャリアのライフタイム測定方法であって、光照射面側の半導体ウェハ表面に熱酸化膜を形成し、且つ光照射面の裏面側の半導体表面にキャリアの捕獲準位を形成した状態で光励起を行うことを特徴とする半導体ウェハのキャリアのライフタイム測定方法。