特許
J-GLOBAL ID：200903022051039156
結晶成長方法および結晶成長用装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-227878
公開番号（公開出願番号）：特開2000-063199
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：
【要約】【課題】 タンパク質等の生体高分子を結晶化させるのに適した方法および装置を提供する。【解決手段】 結晶成長用装置は、高分子化合物を含む溶液43の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御された領域42aを有する固体素子42と、領域42aの上方の空間を挟むように設けられた1対の対向電極44aおよび44bと、対向電極44aおよび44bを支持する電気絶縁材料46aおよび46bとを含む。領域42aは、シリコン半導体基板上に形成された不純物領域である。結晶成長方法において、溶液43には、対向電極44aおよび44bを介して電界が印加される。領域42aの表面にもたらされる電気的状態の下、電界を印加された溶液43から、高分子化合物の結晶が生成される。
請求項（抜粋）：
溶液中に含まれる高分子化合物の結晶を成長させる方法であって、前記高分子化合物を含む溶液の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御された領域を有する固体素子を与える工程と、前記固体素子の前記価電子が制御された領域上に、前記高分子化合物を含む溶液を保持する工程と、前記保持された溶液に、1対の対向する電極によって電界を印加する工程とを備え、前記制御された価電子により前記固体素子の表面にもたらされる電気的状態の下、前記電界を印加された溶液から、前記高分子化合物の結晶を生成させることを特徴とする、結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
4F070AA01
, 4F070AA61
, 4F070AA62
, 4F070BA07
, 4F070BB06
, 4G077AA01
, 4G077BF04
, 4G077BF05
, 4G077CB05
