特許
J-GLOBAL ID：200903022052086093
縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085159
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288303
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】工程数増加を招くことなく、高速動作化及び低オン抵抗化を同時に実現することができる縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【構成】本発明に係る縦型電界効果トランジスタは、一導電型高濃度のシリコン基板1上に形成された一導電型低濃度のエピタキシャル層2上にゲート絶縁膜3を介したうえでゲート電極4が形成され、このゲート絶縁膜3が中央部3aの厚みが厚くて側部3bの厚みが薄くなった断面形状を有するものであり、ゲート絶縁膜3の側部3bにおける端側部分直下のエピタキシャル層2内には、一導電型高濃度の第1不純物拡散領域5と、該第1不純物拡散領域5を取り囲む他導電型高濃度の第2不純物拡散領域6とを形成している一方、同じ側部3bにおける中央側部分直下のエピタキシャル層2内には、一導電型高濃度の第3不純物拡散領域15を第2不純物拡散領域6と接する状態で形成したものである。
請求項（抜粋）：
一導電型高濃度のシリコン基板上に形成された一導電型低濃度のエピタキシャル層上にはゲート絶縁膜を介したうえでゲート電極が形成されており、ゲート絶縁膜は中央部の厚みが厚くて側部の厚みが薄くなった断面形状を有するものである縦型電界効果トランジスタであって、ゲート絶縁膜の側部における端側部分直下のエピタキシャル層内には、一導電型高濃度の第1不純物拡散領域と、該第1不純物拡散領域を取り囲む他導電型高濃度の第2不純物拡散領域とを形成している一方、ゲート絶縁膜の側部における中央側部分直下のエピタキシャル層内には、一導電型高濃度の第3不純物拡散領域を第2不純物拡散領域と接する状態で形成していることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 658 D
