特許
J-GLOBAL ID：200903022062275463
エピタキシャル成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361123
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176801
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 ガス流の乱れを防止して均一なエピタキシャル成長層を形成する。【解決手段】 シールドチャンバー内で高温下で材料ガスを供給することにより半導体ウエハの成長対象表面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置において、2枚一対の半導体ウエハ10を、前記成長対象表面10aを対向させて配置するウエハ保持手段11,12と、前記成長対象表面10aに材料ガスを噴射するノズル6とを備え、ノズル6は、噴射口6a側に拡開するテーパ状部6bを有し、噴射口6aは成長対象表面10aの近傍位置まで開口しており、ノズルの噴射口の開口幅WVは、対向配置された半導体ウエハ10の成長対象表面10aの間隔Dの50%以上である。
請求項（抜粋）：
シールドチャンバー内で高温下で材料ガスを供給することにより半導体ウエハの成長対象表面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置において、複数の半導体ウエハを、前記成長対象表面を対向させて配置するウエハ保持手段と、前記成長対象表面に材料ガスを噴射するノズルと、を備え、前記ノズルは、噴射口側に拡開するテーパ状部を有し、噴射口は前記成長対象表面の近傍位置まで開口していることを特徴とするエピタキシャル成長装置。
Fターム (20件)：
5F045AB02
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AF03
, 5F045BB02
, 5F045BB15
, 5F045DP04
, 5F045DP11
, 5F045EB02
, 5F045EC02
, 5F045EE12
, 5F045EE17
, 5F045EE20
, 5F045EF02
, 5F045EF08
, 5F045EF20
, 5F045EK06
, 5F045EK23
, 5F045EK30
, 5F045EM02
