特許
J-GLOBAL ID：200903022064241060

III-V族窒化物半導体レーザ素子

発明者：
大林 健

大林 健 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-019651
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187034
出願日： 2007年01月30日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】電流阻止能力を向上するとともに、電流阻止層上の層の成長に及ぼす影響を低減できるIII-V族窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】III-V族窒化物半導体レーザ素子100は、n型基板101と、下部半導体層と、活性層106と、上部半導体層と、電流阻止層115とを備えている。下部半導体層は、n型基板101上に形成された第1導電型の層である。活性層115は、下部半導体層上に形成されている。上部半導体層は、活性層106上に形成された第2導電型の層である。電流阻止層115は、上部半導体層および下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部115aが形成されている。電流阻止層115は、i-AlxGa(1-x)N層とi-InyAlzGa(1-y-z)N層とが交互に積層されてなるとともに、i-AlxGa(1-x)N層は2層以上形成され、0.3<x≦1、0≦y≦1、z<x、0≦z<1であることを特徴としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された第1導電型の下部半導体層と、 前記下部半導体層上に形成された活性層と、 前記活性層上に形成された第2導電型の上部半導体層と、 前記上部半導体層および前記下部半導体層の少なくともいずれか一方の中に配置されるとともに、開口部が形成された電流阻止層とを備え、 前記電流阻止層は、i-AlxGa(1-x)N層とi-InyAlzGa(1-y-z)N層とが交互に積層されてなるとともに、前記i-AlxGa(1-x)N層は2層以上形成され、0.3<x≦1、0≦y≦1、z<x、0≦z<1であることを特徴とする、III-V族窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (14件)：
5F173AA47 ,  5F173AA50 ,  5F173AF84 ,  5F173AF92 ,  5F173AF95 ,  5F173AF98 ,  5F173AG12 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR24 ,  5F173AR84 ,  5F173AR93
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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