特許

J-GLOBAL ID：200903022069131815

PCMO薄膜の形成方法及びPCMO薄膜

発明者： ティンカイ・リー ,  ウェイウェイ・ザン ,  デイビッド・アール・エバンス ,  シェン・テン・スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-130841
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328044
出願日： 2005年04月28日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】 PCMO薄膜の組成、構造、及び、結晶方位のように制御可能な堆積属性に応じた抵抗メモリ特性を有するPCMOを形成するための形成方法を提供する。【解決手段】 所定のメモリ抵抗特性を有するPCMO(PrCaMnO)薄膜の形成方法であって、組成Pr3+1-xCa2+xMnO(0.1<x<0.6)のPCMO薄膜を形成する工程と、組成比xの選択に応じて、Mnイオン及びOイオンの割合を、O2-3±20%、Mn3+(1-x)±20%、Mn4+x±20%に変化させる工程と、を有する。【選択図】 図22

請求項（抜粋）：

所定のメモリ抵抗特性を有するPCMO(PrCaMnO)薄膜の形成方法であって、 組成Pr3+1-xCa2+xMnO(0.1<x<0.6)のPCMO薄膜を形成する工程と、 組成比xの選択に応じて、Mnイオン及びOイオンの割合を、 O2-(3±20%)、 Mn3+((1-x)±20%)、 Mn4+(x±20%) に変化させる工程と、を有することを特徴とするPCMO薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01L45/00 ,  C01F11/02 ,  C01F17/00 ,  C01G45/00 ,  C01G57/00 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08

FI (7件)：

H01L45/00 A ,  C01F11/02 Z ,  C01F17/00 B ,  C01G45/00 ,  C01G57/00 ,  H01L27/10 451 ,  H01L43/08 M

Fターム (14件)：

4G048AA03 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE05 ,  4G076AA02 ,  4G076AB02 ,  4G076CA10 ,  4G076DA30 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60