特許
J-GLOBAL ID：200903022071030686

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者：
亀井 英徳

亀井 英徳 について

, 
武石 英見

武石 英見 について

, 
品川 修一

品川 修一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-164300
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345477
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の発光層を含む積層構造が形成されていない裏面側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板1の上に、窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層2と発光層4とp型クラッド層6とp型コンタクト層7の積層構造が設けられ、n側電極を、前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板1の表面に接して設けることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし発光素子直上の配光分布を均一なものとすることができる。
請求項（抜粋）：
第一の主面と第二の主面を有する透光性のn型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板の第一の主面上に、少なくとも窒化ガリウム系化合物半導体からなるn型クラッド層と発光層とp型クラッド層とp型コンタクト層とが積層された積層構造が設けられ、n側電極が前記積層構造の表面側からその一部を除去させて露出された前記基板の表面に直接接して設けられ、p側電極が前記p型コンタクト層の表面に接して設けられ、前記基板の前記第二の主面が主発光面であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Fターム (19件)：
5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DB01 ,  5F041DB07 ,  5F041DB09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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