特許

J-GLOBAL ID：200903022073082810

処理装置

発明者： 野口 稔 ,  大坪 徹 ,  相内 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002181
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199488
出願日： 1983年11月09日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造時の食刻、成膜、ベーキング処理において、処理中の基体温度を効果的に制御できる処理装置を提供する。【解決手段】内部を真空に排気する排気手段を備えた処理室12と、該処理室12の内部に設置され上面が凸状に形成された下部電極29と、該下部電極29の凸状の上面に基板19を密着させて保持する絶縁材30と、前記下部電極29と前記基板19との間に冷却用のガスを供給する固体・液体だめ27とを備え、該固体・液体だめ27より前記下部電極29と前記基板19との間に冷却用のガスを供給した時に、前記下部電極29と前記基板19との間隔が前記導入した冷却用のガスの平均自由工程とほぼ同じかまたはそれ以下になるように前記下部電極29の上面の凸形状を形成した。

請求項（抜粋）：

内部を真空に排気する排気手段を備えた処理室と、該処理室の内部に設置され上面が凸状に形成された電極手段と、該電極手段の凸状の上面に基体を密着させて保持する保持手段と、前記電極手段と前記基体との間に冷却用のガスを供給するガス供給手段とを備え、該ガス供給手段より前記電極手段と前記基体との間に冷却用のガスを供給した時に、前記電極と前記基体との間隔が前記導入した冷却用のガスの平均自由工程とほぼ同じかまたはそれ以下になるように前記電極手段の上面の凸形状を形成したことを特徴とする処理装置。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/54 ,  G05D 23/19 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46

FI (7件)：

H01L 21/302 C ,  C23C 14/54 D ,  G05D 23/19 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-213434