特許

J-GLOBAL ID：200903022073143810

有機金属化学気相成長装置および有機金属化学気相成長方法

発明者： 河本 栄一 ,  羽賀 浩一 ,  本間 孝治
出願人/特許権者： 河本 栄一 ,  羽賀 浩一 ,  株式会社ケミトロニクス
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-163419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363519
出願日： 2003年06月09日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】基板上への堆積物の堆積レートおよび堆積物の質を向上できる有機金属化学気相成長装置および有機金属化学気相成長方法を提供する。【解決手段】有機金属の昇華ガスを含む原料ガス(10)と、その原料ガスと処理室(7)内に配置された基板(8)上付近で反応する他の原料ガス(14)とを、別個に処理室内の基板上付近まで流通させる同軸の外側円筒管(3)および内側円筒管(4)を備え、外側円筒管および内側円筒管の開口部からそれら原料ガスを基板上に向けて噴出させて反応させ、基板上に反応後の物質を堆積させるようになした有機金属化学気相成長装置において、外側円筒管および内側円筒管のうち、少なくとも有機金属の昇華ガスを含む原料ガスを流通させる円筒管の内部かつ開口部付近に加熱ヒータ(9)を設ける、あるいは内側円筒管の開口部を外側円筒管の開口部よりも基板側に突出させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機金属の昇華ガスを含む原料ガスと、その原料ガスと処理室内に配置された基板上付近で反応する他の原料ガスとを、別個に処理室内の基板上付近まで流通させる同軸の外側円筒管および内側円筒管を備え、外側円筒管および内側円筒管の開口部からそれら原料ガスを基板上に向けて噴出させて反応させ、基板上に反応後の物質を堆積させるようになした有機金属化学気相成長装置において、 外側円筒管および内側円筒管のうち、少なくとも有機金属の昇華ガスを含む原料ガスを流通させる円筒管の内部かつ開口部付近に加熱ヒータが設けられていることを特徴とする有機金属化学気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452

FI (3件)：

H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452

Fターム (25件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA47 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA25 ,  4K030LA13 ,  4K030LA16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045EC07 ,  5F045EE02 ,  5F045EE07 ,  5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-023540
  
• 特開昭62-155511
  
• 特開昭64-023540
  
• 特開昭62-155511