特許
J-GLOBAL ID：200903022073145022
イオン注入装置の絶縁ブッシングおよびイオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078679
公開番号（公開出願番号）：特開2002-279929
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 本発明の目的は、部品の交換等の作業を容易に行うことができるイオン注入装置の絶縁ブッシングおよびイオン注入装置を提供する。【解決手段】 イオン注入装置のイオンビーム発生部2はソースチャンバ3を有し、このソースチャンバ3内にはイオン源6及び引出電極8が配置されている。ソースチャンバ3の主チャンバ4には、イオンビーム発生部2で発生する高電圧の絶縁を行うと共にソースチャンバ3の一部を構成する絶縁ブッシング9が取り付けられている。この絶縁ブッシング9は、主チャンバ4及び台座7の周縁部7aにそれぞれボルト止めされた円筒状のブッシング本体10と、このブッシング本体10の内側に設けられた円筒状の絶縁ライナー11とからなっている。ブッシング本体10の材質はエポキシ樹脂に酸化鉛を混ぜたものであり、絶縁ライナーの材質は、PTFEやAl2O3等のセラミックである。
請求項（抜粋）：
イオン注入装置に設けられる絶縁ブッシングであって、筒状のブッシング本体と、前記ブッシング本体の内側に設けられた保護部材とを備えるイオン注入装置の絶縁ブッシング。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01J 27/02
, H01J 37/08
, H01L 21/265 603
H01J 37/317 Z
, C23C 14/48 Z
, H01J 27/02
, H01J 37/08
, H01L 21/265 603 A
4K029CA10
, 4K029DE01
, 5C030DE01
, 5C030DE10
, 5C034CC01
