特許
J-GLOBAL ID：200903022079168164
薄膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081750
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297130
出願日： 1994年04月20日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【構成】 TiCl4 、H2 及びN2 を含むガスを原料とし、電子サイクロトロン共鳴(ECR)励起により発生させたプラズマを利用したCVD法によりTiNの薄膜を形成する薄膜の形成方法において、TiN薄膜を形成した後、TiN薄膜表面に、主にN2 ガス、又はN2 ガスと不活性ガスとからなるプラズマを照射する薄膜の形成方法。【効果】 TiN薄膜中に含まれる塩素分を揮散し易い物質に変換することができ、TiN薄膜中の塩素分を大きく減少させることができる。その結果、TiN薄膜中に残留した塩素分が、上層部のAlなどの配線を腐食する虞れがなくなり、LSI素子の信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
TiCl4 、H2 及びN2 を含むガスを原料とし、電子サイクロトロン共鳴(ECR)励起により発生させたプラズマを利用したCVD法によりTiNの薄膜を形成する薄膜の形成方法において、TiN薄膜を形成した後、前記TiN薄膜表面に、主にN2 ガス、又はN2 ガスと不活性ガスとからなるプラズマを照射することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/285 301
, H01L 21/31
, H01L 21/318
, H05H 1/46
