特許

J-GLOBAL ID：200903022086981776

強誘電体メモリの駆動方法および強誘電体メモリ

発明者： 永橋 克己
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087932
公開番号（公開出願番号）：特開2002-288980
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 2T2C型の強誘電体メモリにおいて、インプリント発生による反転データが書き込みにくくなる現象やデータ読み出し不良等の不具合を回避する。【解決手段】 データの書き込みを行う際、2つの強誘電体キャパシタ3,4に対し同極性の異なる電位を供給することで一方にハイデータを他方にローデータを書き込む。データの読み出しを行う際、センスアンプ9でビット線BLと/BLとの電位差を増幅してデータの読み出しを行い、そのときのハイデータ側のビット線の電位を保持した状態で、プリチャージ回路36にてローデータ側のビット線をセルプレート電位に対して所望のプラス電位に持ち上げ、ハイデータ側およびローデータ側のビット線の電位をそれぞれ対応する2つの強誘電体キャパシタ3,4に供給することで一方にハイデータを他方にローデータを書き込む。

請求項（抜粋）：

2つのトランジスタと2つの強誘電体キャパシタとで1ビットのメモリセルを構成した強誘電体メモリの駆動方法であって、前記メモリセルにデータの書き込みを行う際、前記2つの強誘電体キャパシタに同極性で異なる電位を供給することで前記2つの強誘電体キャパシタのうちの一方にハイデータを他方にローデータを書き込むことを特徴とする強誘電体メモリの駆動方法。

IPC (2件)：

G11C 11/22 501 ,  G11C 11/22

FI (3件)：

G11C 11/22 501 Q ,  G11C 11/22 501 A ,  G11C 11/22 501 J