特許
J-GLOBAL ID：200903022088548077
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-069870
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235031
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 製造工程数を少なくし、またポリシリコン薄膜の結晶構造を良くする。【構成】 絶縁基板1の上面にアモルファスシリコン薄膜3を堆積する。次に、フォトレジスト膜4をマスクとしてアモルファスシリコン薄膜3のソース・ドレイン形成領域3aに不純物を注入して不純物注入領域5を形成する。この後、フォトレジスト膜4を除去する。次に、エキシマレーザを照射すると、アモルファスシリコン薄膜3が多結晶化されると同時に不純物注入領域5が活性化される。このように、多結晶化と活性化を一度のエキシマレーザ照射で同時に行うことができ、したがって製造工程数を少なくすることができる。また、エキシマレーザ照射による多結晶化は液相成長であるので、ポリシリコン薄膜の結晶構造を良くすることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上にアモルファスシリコン薄膜を堆積し、このアモルファスシリコン薄膜のソース・ドレイン形成領域に不純物を注入して不純物注入領域を形成した後、エキシマレーザを照射することにより、前記アモルファスシリコン薄膜を多結晶化すると同時に前記不純物注入領域を活性化することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
, H01L 21/208
, H01L 21/265
, H01L 21/268
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/265 B
