特許

J-GLOBAL ID：200903022089083582

SOI基板の製造方法

発明者： 五味 孝行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335530
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 スリップライン等の欠陥が発生しにくく、酸素を高濃度でイオンインプランテーションした場合生ずる可能性のある欠陥の回復も可能で、更に、多層のSOI基板を形成することも可能とするSOI基板の製造方法を提供すること。【構成】 半導体基板1上に結晶シリコン膜を有しているSOI基板の製造方法において、半導体基板1と結晶シリコン膜4との間の絶縁部2形成を、酸素のイオンインプランテーションとその後のエキシマレーザー光の照射によるアニールで行うとともに、その上に結晶シリコン膜を形成し、更に必要に応じシリコン層4をエピタキシャル成長し、必要に応じ上記をくり返すSOI基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に結晶シリコン膜を有しているSOI基板の製造方法において、半導体基板と結晶シリコン膜との間の絶縁膜形成を、酸素のイオンインプランテーションとその後のエキシマレーザー光の照射によるアニールで行うSOI基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/02