特許

J-GLOBAL ID：200903022092382477

半導体装置用クラッドキャップ

発明者： 林 明 ,  森若 靖
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053341
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 パッケージとの重なり代が小さくなっても、いわゆるヒートサイクル性が低下しないクラッドキャップを提供することを目的とする。【構成】 鉄とニッケルとを主成分とする合金材料からなる心材層と、この心材層の前記パッケージ側の表面に形成され、ニッケルを主成分とする材料からなる内表面層と、前記心材層における前記内表面層とは反対側の表面に形成され、ステンレス鋼からなる外表面層との3層構造をなし、前記心材層、内表面層及び外表面層との合計板厚Tが0.1〜0.3mmであり、前記内表面層の板厚Nと外表面層の板厚Gとが(0.02〜0.1)Tで、かつ、前記G/Nが、0.2〜5.0であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子が装着されたパッケージの凹部を覆ってはんだ付けされる薄板状の半導体装置用クラッドキャップであって、鉄を主成分とする合金材料からなる心材層と、この心材層の前記パッケージ側の表面に形成され、ニッケルを主成分とする材料からなる内表面層と、前記心材層における前記内表面層とは反対側の表面に形成され、ステンレス鋼からなる外表面層との3層構造をなし、前記心材層、内表面層及び外表面層との合計板厚Tが0.1〜0.3mmであり、前記内表面層の板厚Nと外表面層の板厚Gとが(0.02〜0.1)Tで、かつ、前記G/Nが、0.2〜5.0であることを特徴とする半導体装置用クラッドキャップ。