特許
J-GLOBAL ID：200903022095234690
半導体装置作成用炭化珪素基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340310
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176709
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 炭化珪素基板の表面状態をより良質なものとして、エピタキシャル層におけるコメットテール欠陥を低減する。【解決手段】 表面を鏡面仕上げした炭化珪素基体1の表面の所定領域をリアクティブ・イオン・エッチング(RIE)により除去したのち、この除去した部分を熱処理によって酸化させて酸化膜3とし、さらにこの酸化膜3を除去してから炭化珪素基体1の上に炭化珪素層4をエピタキシャル成長させる。RIE処理におけるイオンによって炭化珪素基体の表面にはダメージ層が形成される。このため、RIE処理のイオンによって形成されたダメージ層を酸化させて酸化膜し、この酸化膜を除去すれば、炭化珪素基体1の表面状態を良質なものにすることができる。これにより、炭化珪素基体1の表面にエピタキシャル成長により形成する炭化珪素層のコメットテール欠陥を低減することができる。
請求項（抜粋）：
表面を鏡面仕上げした炭化珪素基体(1、11)における前記表面の所定領域をイオンエッチングにより除去する工程と、熱処理により、前記イオンエッチングにより露出した部分を酸化させて、酸化膜(3、13)を形成する工程と、前記酸化膜を除去することにより、前記炭化珪素基体を露出させる工程と、露出した前記炭化珪素基体上に炭化珪素層(4、14)をエピタキシャル成長させる工程とを備えていることを特徴とする半導体装置作成用炭化珪素基板の製造方法。
引用特許：
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