特許
J-GLOBAL ID：200903022097255759

多波長半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
荒木田 孝博

荒木田 孝博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-119631
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327678
出願日： 2003年04月24日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】各半導体レーザ素子の発振波長に対して所定の反射率を示す共通の低反射膜を出射端面に備える多波長半導体レーザを提供する。【解決手段】本多波長半導体レーザ10は、共通基板上に分離領域11を介して発振波長650nmの第1の端面出射型共振器構造12と発振波長780nmの第2の端面出射型共振器構造14とをそれぞれ備えている多波長半導体レーザである。第1及び第2の共振器構造12及び14の出射端面には、内方から外方に順次成膜された、膜厚60nmの第1のAl2 O3 膜16、屈折率が第1及び第3のAl2 O3 膜16、20より小さい膜厚55nmのTiO2 膜18、及び膜厚140nmの第2のAl2 O3 膜20の誘電体3層膜からなる低反射膜22が設けてある。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
相互に波長の異なる複数の端面発光型半導体レーザ素子をモノリシックに備えた多波長半導体レーザにおいて、 内方から外方に順次成膜された、第1の誘電体膜、第2の誘電体膜、及び第3の誘電体膜の誘電体3層膜からなる共通の低反射多層膜が、同じ膜厚で各半導体レーザ素子の出射端面上に設けられ、 第2の誘電体膜の屈折率が第1の誘電体膜の屈折率及び第3の誘電体膜の屈折率より大きいことを特徴とする多波長半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S5/028 ,  G02B1/11 ,  H01S5/22
FI (3件)：
H01S5/028 ,  H01S5/22 610 ,  G02B1/10 A
Fターム (10件)：
2K009AA02 ,  2K009BB01 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  5F073AA02 ,  5F073AA21 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073CB20 ,  5F073EA04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-016266   出願人：株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
  • 半導体レーザー装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-295260   出願人：富士写真フイルム株式会社
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-034910   出願人：富士写真フイルム株式会社

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