特許
J-GLOBAL ID：200903022104685616
半導体光変調器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181228
公開番号（公開出願番号）：特開平5-027279
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 低動作電圧かつ低デバイス損失の電圧印加による導波路形光変調器を提供する。【構成】 導電性クラッド層2を含む基板3上に、半絶縁性クラッド層4,半絶縁性光導波層5,半絶縁性クラッド層6,導電性クラッド層7,半絶縁性クラッド層8による第1のストライプ構造と、層4〜7による第2のストライプ構造とを交差して配置し、基板1と第2のストライプとの間に逆バイアス電圧を印加して光導波層5に電界を印加する。導電性クラッド層7を薄くすることができ、以て低動作電圧を実現でき、かつ導電性クラッド層2および7での伝搬光の光吸収を低減して低損失を実現できる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性半導体基板および該半絶縁性半導体基板の一部に当該半絶縁性半導体基板の表面から一定の深さだけ埋め込まれ、かつ該半絶縁性半導体基板と平坦な表面を形成する導電性半導体層からなる半導体基板と、前記導電性半導体層上に配置された第1の半絶縁性クラッド層と、該第1の半絶縁性クラッド層上に配置された半絶縁性光導波層と、該半絶縁性光導波層上に配置された第2の半絶縁性クラッド層と、該第2の半絶縁性クラッド層上に配置された導電性クラッド層と、該導電性クラッド層上に配置された第3の半絶縁性クラッド層とを具え、前記第1の半絶縁性クラッド層、前記半絶縁性光導波層、前記第2の半絶縁性クラッド層、前記導電性クラッド層および第3の半絶縁性クラッド層により前記導電性半導体層上に第1のストライプ構造を構成し、前記第1の半絶縁性クラッド層、前記半絶縁性光導波層、前記第2の半絶縁性クラッド層および前記導電性クラッド層により前記第1のストライプ構造に接続され、かつ前記第1のストライプ構造と交叉するように配置された第2のストライプ構造を構成し、該第2のストライプ構造を前記導電性半導体層の上方から前記半絶縁性半導体基板の上方へ延在させ、前記半絶縁性半導体基板上の当該第2のストライプ構造の前記導電性クラッド層の上に第2の電極を配設し、前記導電性半導体層のうち前記第1および第2のストライプ構造が配置されていない部分の上に第1の電極を配設したことを特徴とする半導体光変調器。
IPC (2件)：
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