特許
J-GLOBAL ID：200903022106477891
シリコンベースのセラミック材料にプラズマ溶射したムライトコーティング
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-520394
公開番号（公開出願番号）：特表2001-522779
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：
【要約】結晶質ムライトを85体積%含み、かつ非結晶質材料及びムライト解離相を15体積%含むコーティングを、シリコンベースのセラミック基材の表面にプラズマ溶射する。プラズマ溶射は、ムライト原料及びその粒径、ノズル出口のノズル高さ、プラズマ流を通過する基材の移動、基材の背面加熱、及びプラズマ溶射ガンを通る粉末供給量などを含むプラズマ溶射パラメータを厳密に制御して行われる。
請求項（抜粋）：
シリコンベースのセラミック基材の表面へのムライトコーティングのプラズマ溶射法であって、 プラズマ溶射ガンのノズル出口を溶射面から所定距離に維持するステップを含み、前記出口からは、溶射面へ少なくとも一時的に滞留するフレームが発生し、 前記フレームの前記溶射面での滞留時間を制限するように、前記溶射面と前記出口とを互いに対して移動させるステップを含み、 所定の粒径を有する溶融粉砕ムライト粉末を、所定の粉末供給量で前記フレームに供給するステップを含み、前記ムライト粉末は、結晶化温度を有しており、 前記基材を前記ムライト粉末の結晶化温度よりも低い温度に維持するステップを含み、 前記ムライト粉末粒子が、前記フレーム内で過度に解離してしまうような高温まで加熱されることなく、前記粒子の表面が溶融するのに充分に高い温度まで加熱されるように、前記粒径、前記粉末供給量、前記ノズル出口の前記所定距離、及び前記ノズル出口と前記表面の互いに対する移動速度を選択するステップを含み、 前記溶射コーティングは、結晶質ムライトを少なくとも85体積%含み、かつ非結晶質材料及びムライト解離相を約0.5体積%〜約15体積%含むことを特徴とするムライトコーティングのプラズマ溶射法。
引用特許：
前のページに戻る
