特許

J-GLOBAL ID：200903022109346186

光照射半導体製造装置および半導体加熱方法

発明者： 木村 幸治 ,  高 辰一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-088691
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291169
出願日： 1992年04月09日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、半導体基板の加熱に際し、昇温、降温速度の低下を伴なわずに基板の中心部と端部との温度差を解消できる光照射半導体製造装置および半導体加熱方法を提供しようとするものである。【構成】 半導体基板(1) 全体あるいは端部を除く領域を光照射して基板(1) の中心部を加熱するランプ(2) と、基板(1) 端部のみあるいは主に端部を光照射して基板(1) の端部を加熱するランプ(4) と、基板(1) の中心部の温度を検出するパイロメータ(6) と、基板(1) の端部の温度を検出するパイロメータ(8) と、パイロメータ(6) により検出された温度に基づいてランプ(2) を制御、およびパイロメータ(8) により検出された温度に基づいてランプ(4) を制御する制御装置(10)と、を具備する。このような装置であると、基板(1) の中心部および端部それぞれの温度に基づいてランプ(2) およびランプ(4) が独立制御され、昇温、降温速度の低下を伴わずに基板の中心部と端部との温度差を解消して処理できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板全体あるいは基板端部を除く領域を光照射し、前記基板の中心部を加熱する第1の加熱手段と、基板端部のみ、あるいは主に端部を光照射し、前記基板の端部を加熱する第2の加熱手段と、前記基板の中心部の温度を検出する第1の検出手段と、前記基板の端部の温度を検出する第2の検出手段と、前記第1の検出手段により検出された前記基板の中心部の温度に基づき前記第1の加熱手段の照射量を制御および前記第2の検出手段により検出された前記基板の端部の温度に基づき前記第2の加熱手段の照射量を制御する制御手段と、を具備することを特徴とする光照射半導体製造装置。