特許

J-GLOBAL ID：200903022111103916

シリコンウェハの欠陥低減法

発明者： 中居 克彦 ,  川上 和人 ,  中静 恒夫 ,  内藤 俊太
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-020241
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213696
出願日： 1991年02月14日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】単結晶シリコンウェハを高温酸化した時に発生する結晶起因のOSFを低減する。【構成】単結晶シリコンウェハに前熱処理として、非酸化雰囲気で400°C〜500°Cの温度で10分〜100時間熱処理を行なう。【効果】本発明に係わる前熱処理を施したシリコンウェハを1100°C、1時間の酸化処理を行なった場合、前熱処理を施さなかった場合と比較してOSF密度が1/10に低減する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンを非酸化雰囲気で400°C〜500°Cの温度で10分〜100時間熱処理することを特徴とするシリコンウェハの欠陥低減法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208