特許
J-GLOBAL ID：200903022111570271
半導体単結晶製造装置の融液面位置測定・制御装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-124130
公開番号（公開出願番号）：特開平5-294785
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月09日
要約：
【要約】【目的】 CZ法による半導体単結晶製造装置において、単結晶引き上げ時に融液面を所定の位置に高精度で安定して維持することができるようにする。【構成】 レーザ発振器10が発振するレーザ光を、スキャニングミラー13とf-θレンズ12とを介して、融液面1に対して垂直な面内を走査する平行光線とし、融液面1に入射角θで投射する。受光部16は、水平方向に長いスリット16bを光センサ16aの前面に備えているため、前記融液面1からの反射光のうち反射角θの反射光のみを取り入れる。制御部20は、前記受光部16が反射光を検出した時点に対応する投射光の走査位置を検出し、この位置があらかじめ設定した走査位置と一致するようにるつぼ駆動機構6に指令信号を出力する。これにより、融液面のゆらぎにかかわらず融液面位置を高精度に測定、制御することができる。
請求項（抜粋）：
CZ法による半導体単結晶製造装置において、入射角θで融液面に対して垂直な面内を走査する平行光線を投射する手段と、前記融液面からの反射光のうち反射角θの反射光のみを受光する受光手段と、前記受光手段が反射光を受光した時点に対応する投射光の走査位置を検出する手段と、前記検出手段によって得られた投射光の走査位置が、あらかじめ設定した走査位置に一致するように、るつぼを昇降させる手段とを備えたことを特徴とする半導体単結晶製造装置の融液面位置測定・制御装置。
IPC (3件)：
C30B 15/26
, C30B 15/00
, H01L 21/208
