特許
J-GLOBAL ID:200903022121975571
パターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-287272
公開番号(公開出願番号):特開平10-115908
出願日: 1996年10月11日
公開日(公表日): 1998年05月06日
要約:
【要約】【課題】水又は希アルカリ水溶液で現像ができ、パターン精度及びその断面形状が良好で、加熱焼成後の有機物の残渣が少なく、密着性に優れた抵抗体、導体及び隔壁のパターン形成方法を提供する。【解決手段】作成しょうとするパターン幅より線幅の狭いネガマスクを使用する紫外線等の放射線照射により硬化可能な樹脂と光重合開始剤(C)、金属酸化物、金属硫化物又はガラスから選択される1種又は2種以上(D)からなる樹脂組成物を用いるパターン形成方法。
請求項(抜粋):
作成しようとするパターン幅より線幅の狭いネガマスクを使用することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件):
G03F 1/08
, H01J 9/02
, H01J 9/227
, H01L 21/027
, H05K 3/10
FI (6件):
G03F 1/08 D
, H01J 9/02 F
, H01J 9/227 E
, H05K 3/10 Z
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 571
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